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锂电铜箔

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    GT

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    MT-40

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    HT-50

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    UHT-60

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    HM-50

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    LM-50

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    HE

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    PCF

  • GT

  • 普强双面光锂电铜箔

    双面光锂电铜箔是一种用电解法生产的两面均为光洁面的铜箔。德福科技生产的普强双面光锂电铜箔（GT）具有高延展性、厚度均匀性、良好的导电性和浸润性，及稳定的产品性能，作为锂离子电池负极集流体，被广泛应用于储能电池、汽车动力电池和3C数码电池。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      高延展性
      厚度均匀性
      良好的导电性

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • MT-40

  • 中强双面光锂电铜箔

    德福科技生产的中强双面光锂电铜箔（MT-40）具有抗拉强度高、延伸率高及稳定的产品性能，作为锂离子电池负极集流体，在电芯制造和后续使用过程中，减少铜箔褶皱和断带，被广泛应用于储能电池、汽车动力电池和3C数码电池。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      抗拉强度高
      延伸率高
      稳定产品性能

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    代表性特征数据

  • HT-50

  • 高强双面光锂电铜箔

    我司生产的高强双面光锂电铜箔（HT-50）具有抗拉强度高、厚度均匀性和低粗糙度，对锂电池负极极片辊压以卷绕等外力作用的耐受性强，减少出现铜箔断裂造成容量下降发生，适用于高容量可充电电池，被广泛应用于大规模储能、新能源汽车、消费电子和微纳器件等产业

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      抗拉强度高
      厚度均匀性
      低粗糙度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • UHT-60

  • 超高强60双面光锂电铜箔

    随着高膨胀系数的硅氧或硅碳负极比例增高，对负极集流体的抗拉延伸有更严苛的要求。德福科技生产的UHT-60锂电铜箔具有>60kgf/mm2抗拉的同时，还兼具延伸>4%（铜箔厚度为6μm）的性能，这对锂电池的制成及使用过程中大有裨益。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      抗拉强度高
      优异热稳定性
      高延伸率

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • HM-50

  • 高弹性模量双面光锂电铜箔

    德福科技生产的高弹性模量双面光锂电铜箔（HM-50）具有高模量性能、挠性强、抗弯折、不易断裂以及较高的电导率等性能，作为锂离子电池负极集流体，可有效地提高电池的结构稳定性，减少产热而提高电池的能量转换密度，延长电池的使用寿命和提高安全性，被广泛3C数码电池。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      高弹性模量
      不易断裂
      较高的电导率

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • LM-50

  • 低弹性模量双面光锂电铜箔

    德福科技生产的低弹性模量双面光锂电铜箔（LM-50）具有低粗糙度、低模量性能、满足高抗拉强度的同时易于延展和拉伸等性能，作为锂离子电池负极集流体，在卷绕压实过程中，可避免极片断裂现象，提高电池生产效率以及电池的安全性和使用寿命，适用于储能电池和汽车动力电池。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      低模量性能
      低粗糙度
      易延展和拉伸

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    代表性特征数据

  • HE

  • 高延伸双面光锂电铜箔

    德福科技生产的高延伸双面光锂电铜箔（HE）具有低粗糙度、极高延展性及稳定的产品性能，作为锂离子电池负极集流体，在电芯制程中可增大压实密度，降低极片出现凹陷、褶皱和断带概率，提高生产效率，降低电池内阻，提高电池容量、循环寿命和安全性，适用于长循环&高倍率锂离子电池。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      极高延伸率
      低粗糙度
      稳定产品性能

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    代表性特征数据

  • PCF

  • PCF多孔铜箔

    PCF铜箔，是锂离子电容器和固态锂离子电池的重要组成部分。对锂离子电池来说，PCF铜箔优势在于其锚定金属锂，并增加金属锂和铜箔的粘接力，减小二者的界面阻抗，从而提升电池的能量密度。对于固态锂离子电池，PCF铜箔集流体承载电极的活性材料、为电极预锂化提供锂离子通道、提高电解液的浸润效率并能将电流聚集起来。

    • 下游应用

      储能电池
      汽车动力电池
      3C数码电池

    • 典型特征

      提升电池能量密度
      提升金属锂和铜箔的粘接力
      提高电解液浸润效率
      提升电池安全性

    • 产品资料

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    代表性特征数据

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电子电路铜箔

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    HTE

  • linsuantie-732.svg

    RTF

  • linsuantie-732.svg

    VLP

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    HVLP

  • H-NRC

  • H-LRC

  • H-HSP

  • H-HFP-C

  • H-HFP-F

  • H-NRC

    H-NRC

    • 下游应用

      FR-4
      3C 消费电子
      多层板 (MLB)

    • 典型特征

      适中的粗糙度
      稳定的剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • H-LRC

    H-LRC

    • 下游应用

      BT
      高 Tg 半固化片
      Mini LED

    • 典型特征

      低粗糙度
      高剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • H-HSP

    H-HSP

    • 下游应用

      PPO
      改性环氧
      外层压合

    • 典型特征

      高粗化量
      高剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • H-HFP-C

    H-HFP-C

    • 下游应用

      碳氢树脂(PCH)
      高频电路板

    • 典型特征

      高粗化量
      高剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • H-HFP-F

    H-HFP-FH-HFP-F

    • 下游应用

      PTFE
      高频电路板

    • 典型特征

      低粗糙度
      高剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-HS1

  • R-HS2

  • R-HS2+

  • R-HS2M

  • R-HS3

  • R-HF1+

  • R-SLP

  • R-HS1

    R-HS1

    • 下游应用

      Mid loss
      FR-4
      高密度互连板(HDI)

    • 典型特征

      低粗糙度
      稳定的剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-HS2

    R-HS2

    • 下游应用

      低损耗板材
      FR-4
      高密度互连板 (HDI)

    • 典型特征

      低粗糙度
      稳定的剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-HS2+

    R-HS2+

    • 下游应用

      Low loss
      FR-4
      高密度互连板 (HDI)

    • 典型特征

      低粗糙度
      稳定的剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-HS2M

    R-HS2M

    • 下游应用

      Very low loss
      Low loss
      高速数字电路(HSD)

    • 典型特征

      低粗糙度
      高信号完整性(SI)

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-HS3

    R-HS3

    • 下游应用

      Ultra low loss
      Very loss
      高速数字线路(HSD)

    • 典型特征

      超低粗糙度
      高信号完整性(SI)

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-HF1+

    R-HF1+

    • 下游应用

      PTFE
      碳氢树脂(PCH)
      高频电路板

    • 典型特征

      低粗糙度
      稳定的剥离强度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • R-SLP

    R-SLP

    • 下游应用

      BT/类BT
      IC 封装
      类载板(SLP)

    • 典型特征

      超高抗拉强度
      低粗糙度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • V-SLP

  • V-SLP

    V-SLP

    • 下游应用

      BT/类BT
      IC 封装
      类载板(SLP)

    • 典型特征

      超高抗拉强度
      低粗糙度

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • V-HS1

  • V-HS1M

  • V-HS2

  • V-HS3

  • V-HS1

    V-HS1

    • 下游应用

      Low loss
      Mid loss
      高速数字电路(HSD)

    • 典型特征

      低粗糙度
      良好信号完整性(SI)

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    代表性特征数据

  • V-HS1M

    V-HS1M

    • 下游应用

      Very low loss
      Low loss
      高速数字电路(HSD)

    • 典型特征

      超低粗糙度
      高信号完整性(SI)

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • V-HS2

    V-HS2

    • 下游应用

      Ultra low loss
      Very low loss
      高速数字电路 (HSD)

    • 典型特征

      超低粗糙度
      高信号完整性(SI)

    • 产品资料

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    代表性特征数据

  • V-HS3

    V-HS3

    • 下游应用

      Ultra low loss
      Very low loss
      高速数字电路 (HSD)

    • 典型特征

      较低的粗糙度
      良好的蚀刻性
      优异的信号完整性

    • 产品资料

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    代表性特征数据